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研究组抛开了碳硅晶石的分子结构问题，开启了有关强s波的主研究方向，也就是以强s波技术激发释放f射线。
这也是s＋级难度研究任务内容。
研究基地彻底忙碌起来，一方面，他们要顾及主方向的研究，已经开始进入到论证阶段。
另一方面，他们的实验还要顾忌到新材料的研究。
碳硅晶石中的碳化硅分子，是内层电子共价结构的特殊分子，但绝不是‘独一无二’拥有这种特性的分子。
所以实验还是要寻找其他可能形成内层电子共价结构的分子。
这对于后续的研究、对于强s波特性理解也是有帮助的。
“这不仅仅牵扯到材料问题、化学分子问题，也牵扯到了基础的理论。”
“如果能发现几种内层电子共价结构的分子，我们就能够以此来找到规律，并推断出其他可能会形成同样结构的分子。”
这一点是非常重要的。
实验组做的是超s波相关的研究，但实验过程中顺带寻找新的同结构分子，也是很有必要的一件事情。
两个研究就都要做，实验方面就会产生冲突。
所以王浩决定制造第二台设备、第三台设备，让相关的研究能够同时进行。
这也会对于后续的研究有帮助，更多的设备就能做更多的改进，只是依靠一台设备受到的限制就太大了。
王浩还是更重视强s波激发f射线的研究，并且已经找到了第一个主内容——
“论证磁场干涉对强s波区域的影响！”
有关强s波的研究方向上，他们做过黑洞内部物理特性的论证。
强s波会剥离原子的电子层，达到一定强度的时候，甚至会剥离原子核内质子的电荷特性，并让质子转化为中子。
那些被剥离的电磁特性，会被排斥到黑洞的表层。
实际上，某种程度上来说，这一点已经被验证了。
强s波区域会让金属材料的电子都被剥离到表层，也就让材料本身产生了非常高的磁化反应以及带电性。
金属材料通过强s波区域，不止拥有巨大的磁性，甚至带有高压电力。
“如果在强s波制造设备外，增加一层螺旋磁场会发生什么呢？”
“是否会影响到强s波对常规环境的穿透性？”
“会不会对于强s波形成另外一种挤压？”
“会不会影响到强s波的性态？”
以上就是论证的焦点。
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